Target sputtering tungsten titanium (tungsten titanium sputtering target, TiW) ini berukuran 6'' dengan kemurnian 99,99% dan ketebalan 0,125''. Produk dipasok per satu buah untuk sistem deposisi uap fisik yang menumbuhkan lapisan tipis pada substrat seperti wafer silikon.
Pada deposisi sputter, material dikikis dari target lalu dipindahkan ke permukaan substrat. Metode ini cocok untuk berbagai bentuk dan ukuran substrat, memberikan hasil yang dapat diulang, serta dapat ditingkatkan dari skala riset dan pengembangan hingga batch produksi dengan area substrat menengah sampai besar. Tergantung parameter proses, reaksi kimia dapat terjadi di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau di substrat, sehingga pengguna berpengalaman dapat mengendalikan pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan secara cermat.
Selain untuk pelapisan, sputtering juga dimanfaatkan untuk etsa anisotropik dan teknik analisis yang mengikis material dengan laju terkontrol.
- Deposisi lapisan tipis TiW pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter dalam proses semikonduktor ketika dibutuhkan anisotropi etsa tinggi dan selektivitas tidak menjadi prioritas.
- Analisis material seperti spektrometri massa ion sekunder (SIMS) untuk menentukan komposisi dan mendeteksi pengotor dalam konsentrasi sangat rendah.
- Pekerjaan riset dan pengembangan yang dapat ditingkatkan ke batch produksi pada area substrat menengah hingga besar.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,99% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01TU71
- Material: Tungsten Titanium (TiW)
- Ukuran: 6''
- Ketebalan: 0,125''
- Kode produk: NG0ST01TU71
—
—